不同 ATO 摻量對 SiO2/ATO-SiO2 疏水型抗靜電增透膜性能的影響與LI1016-EA

2021-06-21 20:50:35 ferryme 19

防靜電薄膜因為具有一定的導電能力能夠將集聚在玻璃表面的靜電導出,按照方塊電阻的大小,把方塊電阻在10^5~10^12Ω/m范圍內的材料稱為抗靜電材料,下圖是不同ATO(也可以用我們公司的膠用光學抗靜電劑LI1016-EA添加量(%wt)為0.3-2時方阻為107-1010)
摻量的薄膜表面方塊電阻,由圖5可知,疏水型抗靜電薄膜的表面方塊電阻均在10^6Ω/m數量級以下,具有較好抗靜電能力。并且隨著ATO摻量增加,薄膜表面方塊電阻先降低,然后迅速升高。

當ATO摻量較少時,由于硅溶膠中SiO,基團的存在,SnO,是以鑲嵌的形式摻雜在SiO,網格中,這種形式抑制了ATO顆粒的長大,并使ATO連接程度下降,在溶膠內ATO粒子分散,將溶膠鍍覆于玻璃上后ATO顆粒互相獨立,不能形成導電通路,所以薄膜表面電阻較大。隨著ATO摻雜量的增加薄膜方塊電阻先下降.在ATO摻量為15%時達到最低為1.35× 10^5Ω/m。但是當ATO繼續增加,薄膜電阻產生突變,迅速升高。產生突變的原因如下:一方面,HMDS為低表面能改性物質,ATO顆粒相對于疏水改性的硅溶膠具有較高的表面能,所以在熱處理固化時薄膜易產生結構缺陷從而導致薄膜導電性能不能提高,電阻增加。另一方面,SnO2摻入量過大,可能會破壞薄膜表面致密性和均勻性,使薄膜表面電陽升高

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